英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

* 憑借這一突破性的?300 mm GaN技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(zhǎng) * 利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率 * 300 mm GaN的成...