上海和舊金山2014年7月8日電 /美通社/ -- 中微半導體設備有限公司（簡稱“中微”）今日發(fā)布 Primo iDEA?（“雙反應臺介質刻蝕除膠一體機”）-- 這是業(yè)界首次將雙反應臺介質等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應腔整合在同一個平臺上。Primo iDEA?主要針對2X納米及更先進的刻蝕工藝，運用中微已被業(yè)界認可的 D-RIE 刻蝕技術和 Primo 平臺，避免了因等離子體直接接觸芯片引發(fā)的器件損傷（PID），提高了工藝的靈活性，減少了生產成本，提高了生產效率并使占用生產空間更優(yōu)化。
對于2X納米及更先進刻蝕工藝的芯片來說，它們對表面電荷的積累極其敏感，并且面臨著PID帶來的潛在風險。Primo iDEA?可將4個等離子體反應臺和2臺非接觸等離子體除膠反應器整合在同一臺設備中，能夠替代原來需要2臺等離子體刻蝕機、1臺除膠器、1臺濕法清洗器等4個機臺所加工的后端過程。這一獨特的整合方法使工藝步驟得到了優(yōu)化，從而避免了因等離子體接觸引發(fā)的的器件損傷。此外，這一方法還大大提高了產量，減少了生產成本，并較大程度上減少了機臺的占地面積。Primo iDEA?同時擁有等離子體刻蝕和非接觸的等離子體源除膠功能（DSA），是大批量生產較復雜的極小尺寸芯片中集成多步制程的較佳選擇。
“Primo iDEA?目前已有多臺進入先進的芯片生產線，并已證明在避免等離子體接觸器件帶來的損害上表現優(yōu)異，同時又減少了所需機臺的數量?！敝形⒏笨偛眉鍯CP刻蝕產品事業(yè)群總經理麥仕義說，“采用 Primo iDEA?之后，客戶能夠節(jié)省20%的生產成本，并獲得更高的生產效率。對于某一特定的后端制程來說，客戶過去需要5道工序在多種機臺上完成，現在只需3道工序在一臺設備上完成，總體上節(jié)省了50%的工藝加工時間。”
中微于2004年領先開發(fā)了具有獨立自主知識產權的等離子體刻蝕技術。該技術具有甚高頻等離子體源和低頻偏置等離子體源，能夠獨立控制離子密度和能量，并確保芯片加工高重復性。結合中微具有獨立自主知識產權的離子控制技術，它們能夠共同提高芯片加工的穩(wěn)定性，并進一步擴大工藝窗口。Primo iDEA?使用的除膠配套系統采用了性價比較高的雙反應臺腔體設計和非接觸等離子體源。頂置的等離子體源所產生的活性反應物質，能均勻地傳送到晶圓表面移除光刻膠，這一過程中等離子體并不會直接接觸晶圓表面，這就減少了器件損傷（PID）的風險。
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Primo iDEA?是中微的注冊商標。
