北京2017年6月28日電 /美通社/ -- 德州儀器(TI)近日推出一項創(chuàng)新的三相氮化鎵(GaN)逆變器參考設計,可幫助工程師構建200 V,2 kW交流伺服電機驅動器和下一代工業(yè)機器人,具有快速的電流回路控制,更高的效率,更精確的速度和轉矩控制?,F(xiàn)在下載參考設計。
三相逆變器GaN功率級
三相高頻GaN逆變器參考設計采用TI去年最新推出的LMG3410 600-V,12-A GaN功率模塊,具有集成FET、柵極驅動器和保護功能。 GaN模塊可使設計開關比硅FET快5倍,可在100 kHz時實現(xiàn)高于98%的效率水平,在24 kHz脈寬調制(PWM)頻率下,可實現(xiàn)高于99%的效率水平。使用GaN,設計人員可以優(yōu)化開關性能,減少電機的功率損耗,并可降低散熱片的尺寸以節(jié)省電路板空間。與低電感電機配合使用時,以100kHz運行逆變器,可大幅改善轉矩脈動。
功率、速度和性能GaN逆變器功率級可與微控制器(MCU)輕松對接,包括TI的TMS320F28379D驅動控制片上系統(tǒng),以幫助動態(tài)調整電壓頻率并實現(xiàn)超快速電流環(huán)路控制。TI近日還推出了新型DesignDRIVE快速電流環(huán)路軟件,具有創(chuàng)新的子周期PWM更新技術,可幫助將伺服驅動器中的電流環(huán)路性能提高到小于1微秒,可達到電機轉矩響應的三倍。該快速電流環(huán)路軟件優(yōu)于傳統(tǒng)的基于MCU的電流環(huán)路解決方案,并且可以免費使用controlSUITE?軟件。
除了GaN模塊,該參考設計依賴于TI的AMC1306隔離delta-sigma調制器,具有電流檢測功能,可提高電機控制性能。TI的ISO7831數(shù)字隔離器還為MCU和該設計的六個PWM之間提供增強隔離。
TI新型三相逆變器設計的主要優(yōu)點
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