北京2017年9月22日電 /美通社/ -- 9月19日，“英特爾精尖制造日”活動在北京舉行，展現(xiàn)了英特爾全球領先的制程工藝創(chuàng)新力和領導力。這次活動上，英特爾也披露了正在推進的前沿技術研發(fā)項目，從而以不斷的突破和創(chuàng)新，繼續(xù)引領半導體產業(yè)的發(fā)展。
英特爾表示，自己的前沿研究部門資助多家大學院校和學術機構，共同開展多種前沿研究課題，活動上公布了這些課題的一些具體信息，內容如下：
納米線晶體管被認為是未來技術的一種選擇，因為納米線的結構可提供改進通道靜電，從而進一步實現(xiàn)晶體管柵極長度的微縮。
硅是 MOSFET 通道中經(jīng)常使用的材料，但是 III-V 材料（如砷化鎵和磷化銦）改進了載流子遷移率，從而提供更高的性能或者能夠在更低的電壓和更低的有功功耗下運行晶體管。
硅晶片的 3D 堆疊有機會實現(xiàn)系統(tǒng)集成，以便把不同的技術混裝到一個很小的地方。
多種不同的高密度內存選擇，其中包括易失性和非易失性存儲技術，正在探索和開發(fā)中。
對于精尖制程技術來說，微縮互聯(lián)和微縮晶體管一樣重要。新的材料和圖案成形技術正在探索中，以支持高密度互聯(lián)。
極紫外（EUV）光刻技術采用13.5納米波長，由于當今的193納米波長工具已達到其微縮極限，該技術正在研發(fā)中以實現(xiàn)進一步的微縮。
自旋電子是一種超越 CMOS 的技術，當 CMOS 無法再進行微縮的時候，這是一種選擇，可提供非常密集和低功耗的電路。
神經(jīng)元計算是一種不同的處理器設計和架構，能夠以比當前計算機高得多的能效執(zhí)行某些計算功能。
過去15年來，英特爾在制程工藝方面推出的所有重要創(chuàng)新均得到行業(yè)的廣泛采納，而通過不斷的前沿探索和突破，英特爾將繼續(xù)傲然立于半導體行業(yè)發(fā)展的潮頭。
