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納芯微發(fā)布EMC增強(qiáng)型并滿足車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字隔離芯片

2017-12-05 11:26 7265
中國領(lǐng)先的信號(hào)鏈芯片及解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司宣布推出滿足AEC-Q100車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的NSi81xx系列EMC增強(qiáng)型多通道數(shù)字隔離芯片,從而將其產(chǎn)品線擴(kuò)展至通用IC領(lǐng)域。

蘇州2017年12月5日電 /美通社/ -- 中國領(lǐng)先的信號(hào)鏈芯片及解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱“納芯微”)宣布推出滿足AEC-Q100車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的NSi81xx系列EMC增強(qiáng)型多通道數(shù)字隔離芯片,從而將其產(chǎn)品線擴(kuò)展至通用IC領(lǐng)域。NSi81xx系列數(shù)字隔離芯片采用特制的高壓隔離芯片工藝,可提供符合UL1577的多種電氣隔離耐壓(3.75kVRMS,5kVRMS),且具有高電磁抗擾度和低輻射的特性,數(shù)據(jù)率高達(dá)150Mbps,延時(shí)小于10ns,共模瞬態(tài)抗擾度CMTI高達(dá)100kV/us。

NSi81xx系列芯片目前已推出2通道和4通道器件,并提供窄體和寬體兩種封裝形式,和市場上的數(shù)字隔離器引腳兼容,并提供可選的數(shù)字通道方向配置以及輸出默認(rèn)高電平和低電平可選。NSi81xx系列具有目前業(yè)界較佳的芯片級(jí)ESD性能表現(xiàn),HBM模式防護(hù)等級(jí)可達(dá)+/-8kV,其出色的系統(tǒng)級(jí)電磁兼容EMC性能,增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,降低了系統(tǒng)的復(fù)雜度。NSi81xx支持多種規(guī)格可配置,產(chǎn)品交期短,可幫助客戶縮短產(chǎn)品導(dǎo)入市場的周期。

和傳統(tǒng)光耦解決方案相比,納芯微推出的數(shù)字隔離芯片集成度高,可以大大減少系統(tǒng)器件數(shù)量,大幅減小系統(tǒng)BOM面積,同時(shí)還具有延時(shí)更短、功耗更低的特點(diǎn),避免了光耦的光衰問題,可長期可靠工作。NSi81xx系列多通道數(shù)字隔離器能用于任何需要電壓隔離、電平轉(zhuǎn)換或接地回路消除等功能的應(yīng)用,其典型應(yīng)用場景包括工業(yè)自動(dòng)化、新能源汽車、開關(guān)電源、電機(jī)控制等。

納芯微CEO王升楊表示:“納芯微NSi81xx系列高可靠性多通道數(shù)字隔離芯片的推出打破了國外數(shù)字隔離技術(shù)壟斷。配合納芯微經(jīng)過改進(jìn)的芯片工藝以及專利的芯片設(shè)計(jì)技術(shù),NSi81xx實(shí)現(xiàn)了較高5kV的隔離耐壓,增強(qiáng)的EMC特性并且符合各種安規(guī)認(rèn)證。由于NSi81xx符合AEC-Q100 Grade 1品質(zhì)要求,也可用于電動(dòng)汽車、充電樁等新興應(yīng)用?!?/p>

主要優(yōu)勢:

  • 多種規(guī)格可配置,產(chǎn)品交期短
  • 高電氣隔離耐壓(3.75kVRMS,5kVRMS
  • 符合AEC-Q100 Grade 1汽車標(biāo)準(zhǔn)
  • 業(yè)界較佳的芯片級(jí)ESD性能:HBM:+/-8kV,提供出色的系統(tǒng)級(jí)EMC性能
  • 與市場上的數(shù)字隔離器引腳兼容
  • 高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI):+/-100Kv/us
  • 寬電源供電范圍:2.5V至5.5V,方便實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能
  • 數(shù)據(jù)傳輸速率:DC 至 150Mbps
  • 隔離柵壽命:>60 年
  • 超低功耗:1.5mA/通道(1Mbps)
  • 低傳播延時(shí):<10ns
  • 寬工作溫度范圍:-40攝氏度~125攝氏度

供貨信息:

  • NSi81xx系列提供符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的SOIC-8窄體和SOIC-16寬體封裝
  • 面向全國誠征代理商,有意者可發(fā)郵件至 sales@novosns.com 或通過電話咨詢相關(guān)事宜0512-62601802
消息來源:納芯微
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