北京2009年8月3日電 /美通社亞洲/ -- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。
一直以來，供應(yīng)商都聚焦在提供 HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)，HEMT (High Electron Mobility Transistor) 和 FET (Field Effect Transistor)的外延襯底結(jié)構(gòu)，而目前市場更關(guān)注的是多結(jié)構(gòu)組合在一個襯底上的解決方案，以提供 BiFET (Bipolar Field Effect Transistor) 或 BiHEMT (Bipolar High Electron Mobility Transistor)器件。
Strategy Analytics 的 GaAs 和化合物半導(dǎo)體技術(shù)市場研究部主管 Asif Anwar 表示：“Strategy Analytics 預(yù)期，BiFET / BiHEMT 結(jié)構(gòu)的襯底在2008年占所有半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場的6%。雖然市場份額還很小，但是由于砷化鎵器件制造商希望通過集成解決方案以提供差異化的產(chǎn)品，這一細(xì)分市場從現(xiàn)在到2013年期間將以較快速增長?！?/p>
本報告研究供應(yīng)鏈動態(tài)，并對半絕緣砷化鎵(SI GaAs) 外延襯底的最終需求驅(qū)動因素進(jìn)行了大量的分析。到2013年的市場前景預(yù)測結(jié)果顯示，2008至2013期間，外延襯底市場的復(fù)合年增長率為5%。相應(yīng)地，砷化鎵 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 和 MBE (Molecular Beam Epitaxy)襯底市場規(guī)模在2013年將超過4億美元。
關(guān)于 Strategy Analytics
Strategy Analytics, Inc. (http://www.strategyanalytics.com/ )是一家全球性的市場研究與咨詢機(jī)構(gòu)，為處于信息、通信和娛樂技術(shù)融合趨勢中的企業(yè)就市場動態(tài)和行業(yè)趨勢提供真知灼見，及戰(zhàn)略性業(yè)務(wù)解決方案。Strategy Analytics 的總部位于美國波士頓，在英國，法國，德國，澳大利亞，中國，日本，韓國和印度設(shè)有分支機(jī)構(gòu)和分析師。公司主要關(guān)注汽車電子，汽車遠(yuǎn)程通信 (Telematics)，寬帶網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字家庭娛樂，數(shù)字新媒體，無線通信，核心元器件技術(shù)和虛擬世界等幾大領(lǐng)域的市場機(jī)會和挑戰(zhàn)。詳情請訪問公司網(wǎng)站 http://www.strategyanalytics.com 。
Strategy Analytics 為客戶提供多用戶顧問服務(wù)，管理層講座和咨詢服務(wù)。如需進(jìn)一步了解我們?yōu)榭蛻籼峁┑闹С郑埖顷?http://www.strategyanalytics.com/solutions.html ，或是聯(lián)絡(luò)我們在全球各地的分支機(jī)構(gòu)。
