亮點:
加州圣何塞2020年9月10日 /美通社/ -- Rambus Inc.(NASDAQ:RMBS)是一家專注于使數(shù)據(jù)更快更安全并領(lǐng)先業(yè)界的silicon IP和芯片提供商。今天,宣布它的 HBM2E內(nèi)存接口解決方案實現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的4 Gbps性能。該解決方案由完全集成的PHY和控制器組成,搭配業(yè)界最快的,來自SK hynix的3.6Gbps運行速度的HBM2E DRAM,該解決方案可以從單個HBM2E設(shè)備提供460 GB/s的帶寬。此性能可以滿足TB級的帶寬需求,針對最苛刻的AI/ML訓(xùn)練和高性能的加速器計算(HPC)應(yīng)用而生。
“基于Rambus取得的此成就,AI和HPC系統(tǒng)的設(shè)計師們進行系統(tǒng)設(shè)計時就可以使用來自SK hynix 以3.6Gbps的速度運行世界上最快的HBM2E DRAM,” SK hynix 發(fā)言人,產(chǎn)品計劃副總裁Uksong Kang說道?!敖衲?月,我們宣布全面量產(chǎn)HBM2E,可用于要求最高帶寬的最新計算應(yīng)用程序。”
完全集成并已可投產(chǎn)的Rambus HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)以4Gbps的速度運行,無需要求PHY電壓過載。Rambus與SK hynix和Alchip的合作,采用臺積公司領(lǐng)先的N7工藝和CoWoS®先進封裝技術(shù),實現(xiàn)了HBM2E 2.5D系統(tǒng)在硅中驗證Rambus HBM2E PHY和內(nèi)存控制器IP。Alchip與Rambus的工程團隊共同設(shè)計,負(fù)責(zé)中介層和封裝基板的設(shè)計。
臺積公司設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施管理部資深部長Suk Lee表示:“Rambus及其合作伙伴基于臺積公司先進的制程工藝和封裝技術(shù)所取得的進步,是我們與Rambus持續(xù)合作的又一重要成果。我們期待與Rambus繼續(xù)合作,以實現(xiàn)AI/ML和HPC應(yīng)用程序的最高性能?!?/p>
“透過本次合作,Alchip在7奈米和2.5D封裝設(shè)計方面取得了顯著的成功,”Alchip Technologies首席執(zhí)行官Johnny Shen說?!拔覀?yōu)镽ambus的突破性成就所做的貢獻感到非常自豪?!?/p>
Rambus擁有30年的高速內(nèi)存設(shè)計經(jīng)驗,并將其應(yīng)用于最苛刻的計算應(yīng)用。其著名的信號完整性專業(yè)知識是實現(xiàn)能夠運行4 Gbps的HBM2E內(nèi)存接口的關(guān)鍵。這為滿足AI/ML訓(xùn)練中永不滿足的帶寬需求立下了一個新的標(biāo)桿。
“隨著硅運算速度高達4 Gbps,對設(shè)計師們而言,可驗證未來HBM2E升級實現(xiàn)方向,并有信心為3.6 Gbps的設(shè)計提供充足的裕量空間?!?nbsp;Rambus IP core 總經(jīng)理及資深總監(jiān) Matthew Jones說道:“參與每個客戶項目過程,Rambus提供2.5D封裝和中介層提供參考設(shè)計,以確保任務(wù)關(guān)鍵型AI/ML設(shè)計一步到位成功實現(xiàn)?!?/p>
Rambus HBM2E內(nèi)存接口(PHY和控制器)的優(yōu)點:
更多關(guān)于Rambus接口IP,PHYs和控制器的信息,請訪問以下網(wǎng)頁rambus.com/interface-ip