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三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

2022-11-08 06:59 3181
  • 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度,可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲(chǔ)空間

深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。

三星電子第八代V-NAND,1Tb
三星電子第八代V-NAND,1Tb

三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示:"市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求,推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場(chǎng)需求,更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案,有望成為未來存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。"

三星電子第八代V-NAND,1Tb(晶圓背景)
三星電子第八代V-NAND,1Tb(晶圓背景)

通過這項(xiàng)技術(shù),三星顯著的提升每片晶圓的存儲(chǔ)密度,使三星的存儲(chǔ)密度達(dá)到了新的高度。基于最新NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其輸入和輸出(I/O)速度高達(dá)2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,這可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

三星第8代V-NAND有望成為存儲(chǔ)配置的基石,幫助擴(kuò)展下一代企業(yè)服務(wù)器的存儲(chǔ)容量,同時(shí)其應(yīng)用范圍還將拓展至可靠性尤為重要的車載市場(chǎng)。

*編者按:Toggle DDR接口版本——1.0(133Mbps)、2.0(400Mbps)、3.0(800Mbps)、4.0(1200Mbps)和5.0(2400Mbps)

*本文中的產(chǎn)品圖片以及型號(hào)、數(shù)據(jù)、功能、性能、規(guī)格參數(shù)等僅供參考,三星有可能對(duì)上述內(nèi)容進(jìn)行改進(jìn),具體信息請(qǐng)參照產(chǎn)品實(shí)物、產(chǎn)品說明書或三星半導(dǎo)體官網(wǎng)(https://semiconductor.samsung.com/cn/)。除非經(jīng)特殊說明,本網(wǎng)站中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內(nèi)部測(cè)試結(jié)果,涉及的對(duì)比均為與三星產(chǎn)品相比較。

消息來源:三星半導(dǎo)體
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