中微第二代單反應(yīng)腔等離子體刻蝕設(shè)備已在韓國領(lǐng)先的客戶生產(chǎn)線上得到驗證
用于20納米及以下關(guān)鍵閃存芯片的加工制造
上海和首爾2013年4月11日電 /美通社/ -- 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡稱“中微”）稱已研發(fā)成功第二代單反應(yīng)臺等離子體刻蝕設(shè)備（Primo SSC AD-RIE?）。該設(shè)備能夠用于加工要求最為嚴(yán)格的半導(dǎo)體器件。在不到一年的時間里，中微的Primo SSC AD-RIE?刻蝕設(shè)備在韓國領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)中完成了20納米及以下關(guān)鍵閃存芯片的生產(chǎn)驗證。該韓國客戶已正式下單訂購，目前正在進(jìn)行15納米芯片刻蝕的驗證。此前，中微雙反應(yīng)臺刻蝕設(shè)備Primo D-RIE®已在眾多亞洲領(lǐng)先的存儲芯片和邏輯芯片生產(chǎn)線上確立穩(wěn)固地位，而中微這款新刻蝕產(chǎn)品延續(xù)了Primo D-RIE®的創(chuàng)新性。
中微是國內(nèi)先進(jìn)的芯片制造高端設(shè)備企業(yè)，為全球半導(dǎo)體和LED芯片制造商服務(wù)。中微的研發(fā)和運(yùn)營中心位于上海，全球銷售和市場中心位于新加坡，其團(tuán)隊由一批來自美國硅谷和亞洲半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的專家組成。中微目前的技術(shù)成就標(biāo)志著一個轉(zhuǎn)折點(diǎn)：中微現(xiàn)在所取得的里程碑式的突破，證實了中微完全有能力為客戶提供具有高競爭力的設(shè)備和技術(shù)解決方案，并達(dá)到客戶最先進(jìn)芯片的加工要求。更重要的是，中微能夠躋身于世界刻蝕設(shè)備領(lǐng)域前列，與美國和日本公司競爭。
除了韓國客戶以外，中國臺灣、日本和其他地區(qū)的芯片生產(chǎn)廠商也對中微的Primo SSC AD-RIE?刻蝕設(shè)備表示了極大的興趣。事實上，20納米及以下干法刻蝕所伴隨的極大挑戰(zhàn)已經(jīng)將小的刻蝕設(shè)備供應(yīng)商排除出局，僅留下一些佼佼者占主導(dǎo)地位。Primo SSC AD-RIE?改變了這種局勢，為行業(yè)提供了又一新的選擇。中微目前正在準(zhǔn)備晶片DEMO測試。同時，公司也在和部分客戶合作開發(fā)15納米閃存芯片加工工藝和VNAND工藝。
為了支持韓國客戶并在韓國地區(qū)進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)，中微韓國分公司將于今年在韓國當(dāng)?shù)亟⒀邪l(fā)中心。
中微董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯博士對韓國客戶給予的密切合作表示衷心感謝，這樣的合作對于解決先進(jìn)技術(shù)難題的發(fā)展必不可少，他指出：“中微對于在韓國當(dāng)?shù)赝顿Y建立研發(fā)中心、以更好地服務(wù)于韓國本地客戶的想法非常贊成，基于這一點(diǎn)，我們正在加快韓國本地化計劃，并且通過加強(qiáng)知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)、現(xiàn)場產(chǎn)品改進(jìn)計劃和及時現(xiàn)場技術(shù)支持來進(jìn)一步加速這項計劃?！?/p>
中微韓國區(qū)總經(jīng)理KI Yoon對中微的本地化策略作出了進(jìn)一步的說明，他表示：“我們一直努力發(fā)展韓國本地的供應(yīng)商，并尋求可靠的合作伙伴，這將使我們能夠更好地服務(wù)于客戶在韓國本土和中國所建的芯片生產(chǎn)線，這不僅僅是為了韓國市場，而且也是為了全球市場。在技術(shù)方面，我們致力于為韓國以及其他國家的客戶提供創(chuàng)新的技術(shù)解決方案，包括第三代CCP介質(zhì)刻蝕設(shè)備、ICP刻蝕設(shè)備以及18英寸刻蝕設(shè)備的開發(fā)。”
Primo SSC AD-RIE是中微公司已申請的注冊商標(biāo)。
關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
中微公司致力于為全球半導(dǎo)體芯片和LED芯片生產(chǎn)廠商提供先進(jìn)的工藝和技術(shù)，是中國領(lǐng)先的芯片制造設(shè)備企業(yè)。公司目前主要提供等離子體刻蝕設(shè)備、硅通孔（TSV）刻蝕設(shè)備以及MOCVD設(shè)備，用于國際一線客戶的芯片加工制造。目前，中微已有200多個刻蝕反應(yīng)臺在亞洲地區(qū)眾多國際領(lǐng)先的生產(chǎn)線上運(yùn)行。
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