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LSI發(fā)布SandForce閃存控制器創(chuàng)新技術(shù)

2013-09-04 11:00 5901
LSI 公司(NASDAQ: LSI)發(fā)布其最新LSI(R)SandForce(R)閃存控制器的創(chuàng)新技術(shù), 并在近期舉行的美國加州閃存存儲器峰會上進(jìn)行了演示。

全面改善當(dāng)前閃存的可靠性、耐久度及成本

北京2013年9月4日電 /美通社/ -- LSI 公司(NASDAQ: LSI)發(fā)布其最新LSI®SandForce®閃存控制器的創(chuàng)新技術(shù), 并在近期舉行的美國加州閃存存儲器峰會上進(jìn)行了演示。

LSI®SandForce®閃存控制器的新技術(shù)包括LSI SHIELD?技術(shù)。這是一種高級的糾錯方法,即便同時使用出錯率較高的廉價閃存存儲器也能實現(xiàn)企業(yè)級的SSD耐久度和數(shù)據(jù)完整性。SHIELD是低密度奇偶校驗(LDPC)代碼與數(shù)字信號處理(DSP)的一種獨特實現(xiàn),其將用于新一代SandForce閃存控制器。該技術(shù)完美融合硬判決、軟判決和DSP,可提供面向閃存存儲器的最優(yōu)化綜合糾錯碼(ECC)解決方案。

LSI SHIELD技術(shù)與現(xiàn)有的LDPC實現(xiàn)方式相比具有多種優(yōu)勢,并集合了如下特性:

  • 自適應(yīng)編碼速率:在SSD生命周期內(nèi)動態(tài)地平衡性能與可靠性;
  • 智能處理瞬態(tài)噪聲:降低總體LDPC延遲,改善ECC效率;
  • 多級ECC模式:適時地應(yīng)用更高級別的ECC,實現(xiàn)延遲最小化,同時保持較佳閃存性能。

LSI副總裁兼閃存組件部總經(jīng)理Huibert Verhoeven表示:“雖然NAND閃存存儲器的價值得以提升,且不斷推動閃存存儲解決方案的普及率,但必須考慮的是,現(xiàn)今產(chǎn)品制造尺寸的縮小會帶來可靠性降低和使用壽命縮短等問題。LSI SHIELD技術(shù)能憑借專門針對SSD進(jìn)行優(yōu)化的高級糾錯功能解決這些難題,并將最新NAND閃存存儲器轉(zhuǎn)化為更加穩(wěn)健的存儲解決方案?!?/p>

較新技術(shù)亮點:

  • SHIELD技術(shù):演示過程中將根據(jù)閃存的各種原始比特差錯率(RBER)對三種技術(shù)進(jìn)行比較,用以展示SHIELD技術(shù)與現(xiàn)有LDPC和Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)代碼相比在糾錯方面所具備的優(yōu)勢。
  • DuraWrite?Virtual Capacity(DVC):是一種獨特的SandForce閃存控制器功能,可在底層閃存存儲器物理容量的基礎(chǔ)上擴(kuò)大典型數(shù)據(jù)的可用存儲容量。通過增加相同物理閃存存儲器容量,DVC可幫助降低每GB的用戶存儲成本。LSI利用典型數(shù)據(jù)庫應(yīng)用進(jìn)行的內(nèi)部測試表明,DVC可將用戶數(shù)據(jù)的存儲容量提升三倍多。演示DVC功能的過程中展示了該技術(shù)的多種應(yīng)用。
  • 東芝先進(jìn)19nm閃存:LSI SandForce SF-2000閃存控制器現(xiàn)已支持東芝第二代先進(jìn)19nm NAND閃存存儲器(A19nm),使SSD制造商能夠制造出成本更低的SSD產(chǎn)品。本演示將展示設(shè)置為二級驅(qū)動器的東芝A19nm閃存技術(shù)SSD,介紹典型文件傳輸操作。

客戶引言

Kingston公司的SSD業(yè)務(wù)經(jīng)理Ariel Perez表示:“Kingston已可為現(xiàn)有的工作負(fù)載信息量較輕的關(guān)鍵客戶提供最新的LSI SandForce DuraWrite Virtual Capacity技術(shù),為此我感到格外興奮。通過與這些客戶的存儲工程師進(jìn)行密切合作,我們確定了能顯著降低客戶每GB可用容量成本的具體實施方案。DVC將使更多的企業(yè)客戶放棄傳統(tǒng)的硬盤,轉(zhuǎn)而采用基于閃存存儲器的SSD產(chǎn)品,以便充分利用這種技術(shù)的多方面性能優(yōu)勢。”

東芝美國電子元件公司(TAEC)存儲器業(yè)務(wù)部高級副總裁Scott Nelson 表示:“我們與LSI公司密切合作,將東芝第二代先進(jìn)19nm(A19nm)NAND產(chǎn)品成功用于固態(tài)驅(qū)動器,并進(jìn)行首次公開演示。LSI SandForce閃存控制器的設(shè)計靈活性便于將我們的A19nm NAND 閃存技術(shù)實現(xiàn)有效集成,這無疑使該技術(shù)在固態(tài)存儲市場占據(jù)了重要地位?!?/p>

IT Brand Pulse是一家獨立的市場研究與驗證實驗室,LSI憑借SSD控制器芯片產(chǎn)品獲得了該機(jī)構(gòu)評選的“創(chuàng)新領(lǐng)袖”獎。在由IT Brand Pulse開展的近期調(diào)查中,LSI SandForce閃存控制器被IT專業(yè)人士評選為2013年最具市場、價格、性能、可靠性、服務(wù)與支持以及創(chuàng)新優(yōu)勢的SSD控制器芯片產(chǎn)品。

消息來源:LSI
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關(guān)鍵詞: 電腦/電子 半導(dǎo)體
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