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SEMATECH與Exogenesis形成戰(zhàn)略聯(lián)盟

共同為半導(dǎo)體與先進(jìn)納米電子市場(chǎng)推廣加速中性原子束技術(shù)
Exogenesis Corp.
2015-05-05 14:29 8672
美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟(SEMATECH)和Exogenesis Corp.已經(jīng)達(dá)成戰(zhàn)略聯(lián)盟,共同推廣Exogenesis的Accelerated Neutral Atom Beam(加速中性原子束,簡(jiǎn)稱“ANAB”)和他們的nAcceltm加速粒子束設(shè)備平臺(tái)。

馬薩諸塞州比爾里卡2015年5月5日電 /美通社/ -- 美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟(SEMATECH)和Exogenesis Corp.已經(jīng)達(dá)成戰(zhàn)略聯(lián)盟,共同推廣Exogenesis的Accelerated Neutral Atom Beam(加速中性原子束,簡(jiǎn)稱“ANAB”)和他們的nAcceltm加速粒子束設(shè)備平臺(tái)。SEMATECH首席執(zhí)行官兼總裁Ron Goldblatt博士表示:“芯片行業(yè)正處于原子尺度處理時(shí)期。使用正在開(kāi)發(fā)的ANAB將支持更好的控制和更高的制造效率,同時(shí)為半導(dǎo)體裝置打開(kāi)新功能?!?/p>

SEMATECH和Exogenesis將建立一個(gè)新公司,為半導(dǎo)體行業(yè)將ANAB技術(shù)推向市場(chǎng)。除了最初的關(guān)注集成電路制造之外,雙方還將在其它納米電子領(lǐng)域開(kāi)發(fā)ANAB應(yīng)用,這可能會(huì)形成更多公司。

ANAB技術(shù)是在深度為幾納米的情況下修改和控制具有原子級(jí)控制曲面的獨(dú)特方法,已獲得專利。Exogenesis總裁兼首席執(zhí)行官表示:“其它技術(shù)無(wú)法達(dá)到ANAB的性能效果?!被瘜W(xué)修飾、材料去除與沉積、曲面光順以及表面形態(tài)控制都有可能通過(guò)ANAB平臺(tái)實(shí)現(xiàn)。

ANAB已經(jīng)被用于對(duì)藥理及生物相容性進(jìn)行精確控制的生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,以及支持更安全、有效的可植入醫(yī)療設(shè)備的開(kāi)發(fā)。事實(shí)證明,ANAB能夠?yàn)榘úAА⒔饘?、有機(jī)、半導(dǎo)體和聚合材料等各種材料界面帶來(lái)好處。

SEMATECH企業(yè)發(fā)展總監(jiān)Ed Barth博士表示:“"SEMATECH和 Exogenesis自2013年以來(lái)已經(jīng)作為SEMATECH項(xiàng)目的一部分開(kāi)始合作,支持半導(dǎo)體行業(yè)采用Extreme Ultraviolet Lithography(極紫外光刻技術(shù),簡(jiǎn)稱EUVL)?!薄半p方已經(jīng)展示和公布了ANAB技術(shù)在提高薄硅膜透明度方面的價(jià)值,可以顯著提升EUV膜的性能?!?Exogenesis與SEMATECH的其它工作表明ANAB處理支持EUV掩?;宓墓忭?biāo)劫|(zhì)量比傳統(tǒng)方法更卓越,提高了通過(guò)他們創(chuàng)造的掩模坯的光學(xué)性能。這些結(jié)果發(fā)布于2014年。

位于紐約州奧爾巴尼的Exogenesis工廠以及NanoTech Complex of SUNY Polytechnic Institute的Colleges of Nanoscale Science and Engineering (SUNY Poly CNSE)將持續(xù)進(jìn)行開(kāi)發(fā)工作。因此,這個(gè)戰(zhàn)略

消息來(lái)源:Exogenesis Corp.
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