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三安集成即將亮相2020年慕尼黑上海電子展

2020-06-23 08:00 9139
三安集成將于2020年7月3日至5日在國(guó)家會(huì)展中心(上海)參加2020年慕尼黑上海電子展,屆時(shí)將于5.2館B246展臺(tái),向各界展示其日益完善的化合物半導(dǎo)體代工服務(wù)和寬禁帶半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品。

廈門(mén)2020年6月23日 /美通社/ -- 三安集成,致力于成為世界級(jí)的化合物半導(dǎo)體研發(fā)、制造和服務(wù)平臺(tái),將于2020年7月3日至5日在國(guó)家會(huì)展中心(上海)參加2020年慕尼黑上海電子展,屆時(shí)將于5.2館B246展臺(tái),向各界展示其日益完善的化合物半導(dǎo)體代工服務(wù)和寬禁帶半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品。

三安集成展臺(tái)5.2館,B246
三安集成展臺(tái)5.2館,B246

三安集成擁有完整的寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅襯底、碳化硅/氮化鎵外延、工藝設(shè)計(jì)、制造和器件封測(cè)能力,除了為客戶(hù)提供產(chǎn)業(yè)鏈整合的綜合成本優(yōu)勢(shì)之外,更能全方位檢測(cè)和控制缺陷等質(zhì)量影響因素,為客戶(hù)提供從襯底到器件的高質(zhì)量與可靠性。本次展會(huì)三安集成將重點(diǎn)展示以下產(chǎn)品和解決方案:

  •    第2代 650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管
  •    第2代 1200V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管
  •    4英寸碳化硅襯底和外延片
  •    第1代 650V 氮化鎵E-HEMT 6英寸晶圓和6英寸氮化鎵外延片
  •    氮化鎵快充適配器(概念設(shè)計(jì)驗(yàn)證用)

同時(shí)展示的還有三安集成的光技術(shù)芯片業(yè)務(wù),豐富的光源激光器(VSCEL、DFB等)和光探測(cè)器(PD、APD、MPD等)芯片型譜,滿足光通訊和3D感測(cè)各類(lèi)應(yīng)用的芯片需求。屆時(shí)三安集成還將展示6英寸VCSEL晶圓、4英寸VCSEL(數(shù)通用)晶圓和850 PD晶圓等等。

三安集成通過(guò)“光”“電”芯片解決方案,全面助力汽車(chē)的電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化。以碳化硅/氮化鎵為技術(shù)核心的功率器件,令直流快充、車(chē)載充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等更高效、更節(jié)能、更小型化;砷化鎵/磷化銦技術(shù)的激光發(fā)射和探測(cè)芯片,讓ToF、LiDAR、車(chē)內(nèi)面部和手勢(shì)識(shí)別等智慧應(yīng)用成為可能。

7月3日-5日,國(guó)家會(huì)展中心(上海)5.2號(hào)館B246三安集成展臺(tái)。三安集成誠(chéng)邀大家親臨展臺(tái),與公司經(jīng)驗(yàn)豐富的銷(xiāo)售和專(zhuān)業(yè)的技術(shù)專(zhuān)家進(jìn)行深入交流。

消息來(lái)源:三安集成
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