三安集成首次登陸慕尼黑電子展，化合物半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)更加多元

上海2020年7月3日 /美通社/ -- 全球化合物半導(dǎo)體代工平臺(tái) -- 三安集成于2020年7月3日首次亮相主題為“融合創(chuàng)新 智引未來(lái)”的慕尼黑上海電子展，三安集成秉承“專(zhuān)注于化合物半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新”的理念，提供可持續(xù)能源高效電源轉(zhuǎn)換、新能源汽車(chē)驅(qū)動(dòng)與充電、數(shù)據(jù)中心與工業(yè)電源相關(guān)的碳化硅/氮化鎵第三代功率半導(dǎo)體器件，以及自動(dòng)駕駛雷達(dá)和面部3D感測(cè)所需的關(guān)鍵光技術(shù)芯片代工業(yè)務(wù)。

人頭攢動(dòng)的三安集成展臺(tái)5.2 B246

隨著汽車(chē)電動(dòng)化、無(wú)人駕駛和5G高速網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用市場(chǎng)的快速發(fā)展，對(duì)功率半導(dǎo)體器件、激光光源和光探測(cè)器件的需求也在日益增長(zhǎng)。碳化硅/氮化鎵并稱(chēng)第三代半導(dǎo)體雙雄，憑借其熱導(dǎo)率高、電子飽和速度高、擊穿電壓高、介電常數(shù)低等特點(diǎn)，能更好地適應(yīng)高頻、大功率、耐高溫、抗輻照等嚴(yán)苛的使用環(huán)境。但目前因?yàn)椴牧现苽潆y度大、成本高使得第三代半導(dǎo)體還處在爆發(fā)式增長(zhǎng)的前期。

三安集成是化合物半導(dǎo)體研發(fā)、制造和服務(wù)專(zhuān)業(yè)平臺(tái)，通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，掌握化合物半導(dǎo)體發(fā)展的關(guān)鍵點(diǎn)：設(shè)計(jì)、材料、制程和檢測(cè)。從襯底制造，到大規(guī)模的碳化硅/氮化鎵/砷化鎵外延生長(zhǎng)MOCVD機(jī)臺(tái)，先進(jìn)的制程開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)能力，在線缺陷檢測(cè)和性能測(cè)試，封裝實(shí)驗(yàn)室，以及全面的可靠性分析實(shí)驗(yàn)室，都是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、高質(zhì)量代工的有力保障；同時(shí)，為客戶提供真正的、高成本效益的 “一站式解決方案”。

• 第三代功率半導(dǎo)體：碳化硅肖特基二極管和氮化鎵E-HEMT代工業(yè)務(wù)

在功率半導(dǎo)體展示區(qū)展出的650V/1200V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管，采用混合PiN肖特基二極管（MPS）設(shè)計(jì)，能提供更好的可靠性和魯棒性。比肩業(yè)界領(lǐng)先水平的“低正向壓降”特性，大幅減少導(dǎo)通損耗，幫助實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)別的效率提升和功率密度提升，支持高壓DC/DC和多種PFC應(yīng)用場(chǎng)景的穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)，三安集成已進(jìn)行了碳化“硅金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）”的工程樣品研制，預(yù)計(jì)于2020年第四季度，可為客戶推出工業(yè)級(jí)1200V DMOS器件。

寬禁帶功率半導(dǎo)體的晶圓代工和器件封測(cè)

650V氮化鎵增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）芯片制造的可靠性已全面符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，采用常關(guān)型器件設(shè)計(jì)，具備低比導(dǎo)通電阻R_ON ~350mΩ?mm和優(yōu)良的品質(zhì)因數(shù)R_ON·Q_G~300mΩ·nC。藉由PDK、E-Foundry和MPW服務(wù)，可讓客戶在量產(chǎn)前可充分驗(yàn)證設(shè)計(jì)。三安集成為客戶提供從前期設(shè)計(jì)支持，到完善的后工序 -- 晶圓減薄、背面金屬以及切割和封測(cè)?，F(xiàn)場(chǎng)展示了一款基于三安集成氮化鎵E-HEMT芯片的65W氮化鎵快充適配器設(shè)計(jì)驗(yàn)證樣品，體現(xiàn)了三安集成成熟的代工能力。

• 光技術(shù)芯片：激光光源（Source Laser Diodes）和光探測(cè)（Photodiodes）器件

三安集成一站式光芯片伙伴

從1.25G、10G到25G，從850、940到1310，三安集成提供多種速率、多種波長(zhǎng)的激光光源和光探測(cè)芯片代工服務(wù)，包括高功率VCSEL、高速率VCSEL、DFB、EEL，和光探測(cè)芯片MPD、APD、PD、SPD。

針對(duì)數(shù)據(jù)中心AOC、光模塊應(yīng)用，三安集成提供基于成熟的砷化鎵技術(shù)平臺(tái)的高速25G VCSEL、DFB芯片組及陣列，并備有多波的CWDM綜合方案，搭配三安集成25G 850nm PD或1310nm PD芯片，為客戶提供全套的低功耗、極具成本效益的25G收發(fā)芯片組合。同時(shí)，在3D感測(cè)領(lǐng)域，三安集成更以技術(shù)專(zhuān)業(yè)、服務(wù)高效、產(chǎn)能充沛的VCSEL代工服務(wù)平臺(tái)服務(wù)廣大客戶。

三安集成把質(zhì)量視為企業(yè)生命線，以客戶需求為中心，為客戶創(chuàng)造價(jià)值的同時(shí)守護(hù)客戶的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。企業(yè)已通過(guò)ISO9001國(guó)際質(zhì)量管理體系認(rèn)證、IATF16949汽車(chē)行業(yè)質(zhì)量管理體系認(rèn)證以及ISO27001信息安全管理認(rèn)證；身為JEDEC JC-70寬禁帶功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)成員，積極投身國(guó)際行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定。三安集成愿將其化合物代工大平臺(tái)保持開(kāi)放，迎接多樣化的業(yè)務(wù)合作模式，和客戶一同“融合創(chuàng)新‘芯’引未來(lái)”。