上海2010年4月27日電 /美通社亞洲/ --
概要
財務：
董事會欣然宣布本公司截至二零零九年十二月三十一日止年度的經審核業(yè)績。
摘要資料包括：
銷售額由二零零八年的1,353.7百萬美元下跌20.9%至二零零九年的1,070.4百萬美元，
主要是由於整體晶圓付運量減少所致。二零零九年全年，晶圓總付運量為1,376,663
片8寸等值晶圓，較去年減少14.6%。
本公司付運晶圓的平均售價1由每片晶圓840美元減少7.5%至每片晶圓778美元。倘剔除
DRAM業(yè)務的收益，利用0.13微米或以下制程技術的晶圓收入所占百分比在上述兩個期
間自38.2%升至47.5%。
本公布乃根據(jù)香港聯(lián)合交易所有限公司證券上市規(guī)則第13.09(1)及13.49(1)條而作出。
(1)根據(jù)總收入除以總貨量計算的簡化平均售價。
中芯國際集成電路制造有限公司（"中芯國際"或"本公司"）董事欣然宣布本公司及附屬公司（"本集團"）截至二零零九年十二月三十一日止年度的經審核合并業(yè)績如下：
就一九九五年私人有價證券訴訟改革法案作出的"安全港"提示聲明
本年報可能載有（除歷史資料外）依據(jù)美國一九九五年私人有價證券訴訟改革法案"安全 港"條文所界定的"前瞻性陳述"。該等前 瞻性陳述乃基於中芯國際對未來事件的現(xiàn)行假設 、期望及預測。中芯國際使用"相信"、"預期"、"計劃"、"估計"、"預計"、"預測"及類似表述為該等前瞻性陳述之標識，但并非所有前瞻性陳述均包含上述字眼。該等前瞻性陳述乃反映中芯國際高級管理 層根據(jù)較佳判斷作出的估計，存在重大已知及未知的風險、不確定性以及其他可能導致中芯國際實際業(yè)績、財務狀況或經營結 果與前瞻性陳述所載資料有重大差異的因素，包括（但不限於）與半導體行業(yè)周期及市況有關風險、激烈競爭、中芯國際客戶能 否及時接收晶圓產品、能否及時引進新技術、中芯國際量產新產品的能力、半導體代工服務供求情況、行業(yè)產能過剩、設備、零件及原材料短缺、制造產能供給和終端市場的金融情況是否穩(wěn)定。
除法律規(guī)定者外，中芯國際概不對因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況承擔任 何責任，亦不擬更新前瞻性陳述。
業(yè)務回顧
二零零九年盡管受到二零零八年第四季起全球經濟滑落帶來史無前例營商困境的影響，中 芯國際繼續(xù)擴充產品組合與客戶。本公司仍持續(xù)受惠於其位於規(guī)模較大、增長較快的中國集 成電路市場的策略性地位，目睹國內穩(wěn)定增長，尤其是振興經濟計劃點燃強勁內需。鑒於本 公司業(yè)務於二零零九年開始改善與恢復，加上產能利用率於第四季反彈至91.5%，本公司來自 更先進0.13微米或以下制程的收益錄得大幅增長。
財務回顧
二零零九年，本公司經營活動所得現(xiàn)金為283.6百萬美元。二零零九年資金開支總計189.9 百萬美元，主要用於研發(fā)45納米技術、擴充上海及天津200毫米晶圓廠的產能、將北京廠的 DRAM 設施改為生產邏輯晶圓以及為深圳項目取得深圳土地使用權及 購買設備。邁步向前，本 公司相信，谷底已過，但仍將繼續(xù)實施嚴格資本開支監(jiān)控，改善效能，培育創(chuàng)意，充實財力， 銳意取得持續(xù)盈利能力。
客戶及市場
中芯國際的客戶遍布全球，包括主要的半導體整合制造商、芯片設計公司及系統(tǒng)公司。憑 藉本公司於中國的策略優(yōu)勢，年內本 公司於大中華市場的業(yè)務增長強勁，對收益總額的貢獻 自二零零八年的31%增至二零零九年的36%。
按地區(qū)收入計算，北美客戶貢獻收益總額的59%，仍屬於中芯國際二零零九年較大的客戶 組別，反映先進制程的強勁增長。於其他地區(qū)，中國本土客戶於二零零九年的貢獻收益總額 為20%，臺灣客戶緊隨其後貢獻15%。
通訊產品占貢獻收益總額的50%，繼續(xù)成為本公司較大業(yè)務分部。同樣地，消費產品貢獻 的收益比例自二零零八年的32%增至二零零九年的38%。本公司的北美客戶（包括主要的半導 體整合制造商及芯片設計公司）對通訊產品（主要為移動電話、網絡及 WLAN（無線區(qū)域網絡 ）應用產品）的需求強勁，而中國客戶則對消費及通訊產品（包括數(shù)碼電視、電視機頂盒、移 動電話，可攜式 媒體播放器(PMP)及個人電子助理(PDA)產品）的需求強勁。
在按技術標準劃分的收益方面，0.13微米或以下制程的收益自二零零八年的39%增至二零 零九年的48%，而65納米技術對二零零九年晶圓收益貢獻1%。0.13微米或以下先進邏輯制程收 益於二零零九年第一季增長逾135%，并於整年持續(xù)向好。另外，45納米低功耗技術開發(fā)如期 進行，本公司同時將技術供應擴展至40納米，另外擴充至包括55納米。
二零零九年，本公司新增74名客戶，大部分新客戶為中國的芯片設計公司，本公司營收因 此錄得高速增長。尤其是，無論按收 益計算，抑或按采用先進技術的新產品（部分為65納米 技術）數(shù)量計算，本公司的中國業(yè)務一直穩(wěn)步增長。此項趨勢亦顯示，中國的創(chuàng)新與設計能 力正以高速趕上世界各國。在中國的芯片設計公司中，具備創(chuàng)新設計與產品且潛力優(yōu)厚的一眾 新星持續(xù)出現(xiàn)，本公司為該等公司提供多款應用技術，包括 CMOS 圖像感應器 (CIS)、CMMB 移動 電視、高清電視、RFID、無線產品及其他 產品。為達到此項目標，中芯國際維持與中國現(xiàn)有 客戶及新增客戶一貫合作承諾，進而紥穩(wěn)作為市場上領先代工企業(yè)的地位， 與此同時，本公 司將繼續(xù)拓展全球市場。
研發(fā)
本公司二零零九年的研發(fā)開支為160.8百萬美元，占本公司銷售額15.0%。
研發(fā)工作主要集中於本公司的邏輯晶圓及系統(tǒng)晶片 (SOC) 業(yè)務。中芯國際於二零零九年開創(chuàng)多個重要里程碑。年初，Synopsis 與中芯國際聯(lián)合推出的90納米多重電壓 RTL 至 GDSII 的升級參考設計流程，是可提升內置針對測試 (DFT) 及生產的設計 (DFM) 能力的高級合成工具。於二零零九年四月，中芯國際與國內領先設計公司共同開發(fā)的90納米數(shù)碼相框芯片，是市場上集成度較高的多媒體SOC。先進 CMOS 邏輯晶圓方面，中芯國際提前成功開發(fā)45納米芯片，亦於65納米及90納米技術標準加入新的知識產權庫。此外，本公司成功開發(fā)0.11微米 CMOS 圖像感應器 (CIS)加工技術，是目前業(yè)內先進的CIS加工技術之一。在非揮發(fā)性記憶 體 (NVM) 技術方面，0.13微米 ETox 已於二零零九年初投產，而90納米 ETox 則正進行風險生產。本公司於微電機系統(tǒng) (MEMS) 芯片方面的研發(fā)亦已於二零零九年為首名客戶升級為風險生產，另外亦成功提升了相 變化記憶體、HV、混合信息及射頻 (RF) 等其他方面的技術，使相關產品更輕巧、更省電、成本更低，從而配合客戶需求。
本公司聘用約700名研發(fā)人員，具備半導體行業(yè)經驗與全球及中國著名大學學府高等學位 。
訴訟
本公司與臺積電於二零零九年十一月九日訂立和解協(xié)議（"二零零九年和解協(xié)議"），平 息一切未決訴訟。二零零九年和解協(xié)議解決雙方之間一切未決訴訟，而雙方均撤銷一切未決 訴訟，包括本公司反訴臺積電的待決加州訴訟。二零零九年和解協(xié)議的主要條款包括：
1)作出判決後，雙方解除所有已經或可能已經訴諸待決訴訟的指控；
2)終止中芯國際根據(jù)先前和解協(xié)議項下余下款項（約40百萬美元）的付款責任；
3)向臺積電支付合共200百萬美元（於簽訂協(xié)議時支付15百萬美元，資金將以中
芯國際現(xiàn)有現(xiàn)金結余撥付，余額將於四年 內分期支付 - 二零零九年十二月
三十一日前須付15百萬美元、二零一零年十二月三十一日前須付80百萬美元、
二零一一年十二月三十一日前須付30百萬美元、二零一二年十二月三十一日前
須付30百萬美元及二零一三年十二月三十一日前須付30百萬美元）；
4)承諾授予臺積電1,789,493,218股中芯國際股份（占中芯國際於二零零九年十
月三十一日已發(fā)行股本約8%）及一份可認 購695,914,030股中芯國際股份的
認股權證（可予調整及於發(fā)行後三年內行使），認購價為每股1.30港元。股份
及認股權證 讓臺積電可於股份發(fā)行落實後獲得中芯國際已發(fā)行股本總控股權約
10%，惟須待接獲政府及監(jiān)管機構批準，方可作實；及
5)倘違反本次和解，則采取若干補救措施。
二零一零年展望
隨著經濟改善，本公司將逐步加固整體基礎，故對二零一零年整體展望抱持樂觀態(tài)度。隨 著官司和解，本公司有個新開始，新管理團隊也準備就緒，迎接前面的挑戰(zhàn)。
毛利率於二零零九年最後一季回復至10.5%，而本公司的目標是於二零一零年保持雙位數(shù) 字。此外，隨著客戶轉移至平均售價 較高的先進制程，產品組合不斷改善，而65納米技術亦 持續(xù)擴產。資本開支繼續(xù)受控，并集中在平均售價較高的產品上。
半導體市場整體向好，而且，中國市場更為理想。本公司對中芯國際二零一零年表現(xiàn)感到樂 觀，我們將抓緊機遇，在此蛻變的一年改善業(yè)務。
完整的"中芯國際集成電路制造有限公司二零零九年年度業(yè)績公布"請參閱：
http://m.bcouya.cn/sa/attachment/2010/04/20100427569939.pdf
