-- SiWare(TM) Memory, SiWare(TM) Logic, SiPro(TM) MIPI and Intelli(TM) DDR 伙伴關(guān)系將中芯65納米低漏電工藝至臻完善
美國(guó)加利福尼亞州弗里蒙特和中國(guó)上海2010年5月24日電 /美通社亞洲/ -- 備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的 IP 供應(yīng)商 Virage Logic 公司 (NASDAQ:VIRL) 和中國(guó)先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商中芯國(guó)際集成電路有限公司（中芯國(guó)際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯(lián)交所交易代碼：0981.HK）今天宣布其長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系擴(kuò)展到包括65納米（nanometer）的低漏電（low-leakage）工藝技術(shù)。根據(jù)協(xié)議條款，系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）設(shè)計(jì)人員將能夠使用 Virage Logic 開發(fā)的，基于中芯國(guó)際65納米低漏電工藝的 SiWare(TM) 存儲(chǔ)器編譯器，SiWare(TM) 邏輯庫(kù)，SiPro(TM) MIPI 硅知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 和 Intelli(TM) DDR IP。這一聯(lián)合協(xié)議是 Virage Logic 與業(yè)界領(lǐng)先的代工廠業(yè)務(wù)擴(kuò)展戰(zhàn)略的一個(gè)組成部分，也是中芯國(guó)際承諾為其客戶提供一個(gè)完整的 IP 解決方案的兌現(xiàn)。
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“作為中國(guó)首屈一指的代工廠，我們與 Virage Logic 公司拓展合作伙伴關(guān)系將使中芯國(guó)際能夠提供更多業(yè)界領(lǐng)先的65納米低漏電工藝的半導(dǎo)體 IP，這不僅能滿足來(lái)自中國(guó)本地的系統(tǒng)級(jí)芯片開發(fā)人員的需要，亦將助益我們開發(fā)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)?！敝行緡?guó)際資深副總裁兼首席商務(wù)官季克非表示?！澳壳拔覀円呀?jīng)有一些客戶正積極利用中芯國(guó)際的65納米低漏電工藝及 Virage Logic 公司相關(guān) IP 進(jìn)行芯片項(xiàng)目的開發(fā)。我們期待持續(xù)發(fā)展與 Virage Logic 的合作關(guān)系，不斷滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。”
“我們很高興能夠在65納米低漏電工藝方面擴(kuò)大與中芯國(guó)際的伙伴關(guān)系。Virage Logic 開發(fā)的業(yè)界領(lǐng)先的 IP 產(chǎn)品將能夠讓更多的客戶選擇中芯國(guó)際作為他們65納米制造的主要供應(yīng)商，” Virage Logic 公司市場(chǎng)和銷售執(zhí)行副總裁 Brani Buric 表示。“作為代工廠贊助的 IP 產(chǎn)品計(jì)劃之一，我們的 SiWare(TM) 存儲(chǔ)器編譯器和 SiWare(TM) 邏輯庫(kù)將免費(fèi)提供給終端用戶使用，中芯國(guó)際對(duì)此充分肯定其戰(zhàn)略意義。除此之外我們的 SiPro(TM) MIPI 和 Intelli(TM) DDR 標(biāo)準(zhǔn)高速接口 IP 也為用戶提供了一個(gè)經(jīng)驗(yàn)證的解決方案，使得各地的設(shè)計(jì)師都能在他們的65納米低漏電設(shè)計(jì)中選擇世界一流的 IP?！?/p>
關(guān)于 Virage Logic的SiPro(TM) MIPI IP
SiPro MIPI DSI（顯示串行接口），CSI（攝像頭串行接口）控制器以及物理層 D-PHY，在保證良率的同時(shí)，提供性能、面積、功耗的優(yōu)化方案。SiPro 為移動(dòng)設(shè)備攝像頭和顯示接口提供無(wú)縫連接方案，并已通過(guò)系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證。該 IP 方案被大量應(yīng)用于移動(dòng) SoC，已在65低電壓工藝經(jīng)過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證，并可用于40低電壓工藝。
關(guān)于 Virage Logic 的 Intelli(TM) DDR 接口 IP 解決方案
Intelli DDR 存儲(chǔ)器接口產(chǎn)品擁有為 DDR1，DDR2，DDR3提供較好性能，較低觸發(fā)時(shí)間的智能存儲(chǔ)器控制器；較低功耗，較大帶寬的移動(dòng) SDR，移動(dòng) DDR，低功耗 DDR(LPDDR) 以及 LPDDR2存儲(chǔ)控制器；并為 DRAM 提供高速、全數(shù)字 DDR SDRAM PHY+DLL 方案以及先進(jìn)的高可配置型 DDR IO。與模擬方案相比，全數(shù)字的 Intelli PHY+DLL 方案最多可節(jié)省25%的功耗，并縮小多達(dá)20%的面積，為高性能、低功耗應(yīng)用提供優(yōu)化的硬核方案。
關(guān)于 Virage Logic 的 SiWare(TM) 存儲(chǔ)器和 SiWare(TM) 邏輯產(chǎn)品
于2007年10月首次推出的65nm Siware 產(chǎn)品線，可滿足先進(jìn)工藝物理 IP 日益復(fù)雜的設(shè)計(jì)要求，目前在40nm 工藝已有超過(guò)40家客戶。該產(chǎn)品線能針對(duì)先進(jìn)工藝，提供優(yōu)化的功耗方案，較大程度降低靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。Siware 高密度存儲(chǔ)編譯器能產(chǎn)生最小面積的存儲(chǔ)器。Siware 高速存儲(chǔ)編譯器能幫助設(shè)計(jì)者解決最具挑戰(zhàn)的關(guān)鍵路徑要求。工藝極限變量的編譯時(shí)間選擇，省電模式，讀寫余量的擴(kuò)展，超低工作電壓，創(chuàng)新的 at-speed 測(cè)試，能幫助 SOC 設(shè)計(jì)者配置出最優(yōu)化方案。
所有 SiWare 存儲(chǔ)器皆完全支持 Virage Logic 公司的 STAR 存儲(chǔ)系統(tǒng)。STAR 存儲(chǔ)系統(tǒng)為該公司的旗艦嵌入式存儲(chǔ)測(cè)試和修復(fù)系統(tǒng)，可并用于 Virage 邏輯存儲(chǔ)以及內(nèi)部開發(fā)或者其他商業(yè)用途。為便利修復(fù)，該 STAR 存儲(chǔ)系統(tǒng)使用代工廠開發(fā)的存儲(chǔ) eFUSE 以用于修復(fù)署名紀(jì)錄的存儲(chǔ)。STAR 存儲(chǔ)系統(tǒng)采用專為先進(jìn)工藝量身定制的測(cè)試算法，以提高產(chǎn)品可靠性及加速產(chǎn)品的高良率周期。
SiWare 邏輯產(chǎn)品線針對(duì)高性能，高密度需求，特別量身定制高性能，高密度標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)。該單元庫(kù)包含超過(guò)1,100個(gè)基礎(chǔ)單元，提供多通道配置以及不同的極限變量，能快速達(dá)到時(shí)序終止，同時(shí)不影響面積和功耗。
Virage Logic 的邏輯庫(kù)通過(guò)對(duì)更嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則、更高的可制造性以及更好的電遷移可靠性標(biāo)準(zhǔn)的不斷追求而達(dá)到良率的較大化。通過(guò)統(tǒng)一均衡的版圖設(shè)計(jì)，使用非最小化尺寸器件使得局部的變化達(dá)到最小，并且其特性可被代工廠相應(yīng)的抽取環(huán)境所精確反映。比如，能夠反映出阱鄰近效應(yīng)，相鄰電路擴(kuò)散間距等 DFM 效應(yīng)。
供應(yīng)情況
Virage Logic的SiWare(TM) 存儲(chǔ)器和 SiWare(TM) 邏輯產(chǎn)品將在2010年第三季度上市。在代工廠 IP 贊助方案的支持下，Virage Logic 將直接授權(quán)給代工廠的終端客戶使用。
Virage Logic 的 SiPro(TM) MIPI 和 Intelli(TM) DDR 接口 IP 將在2010年第三季度初上市。
關(guān)于 Virage Logic
Virage Logic 是一家為復(fù)雜電路設(shè)計(jì)提供半導(dǎo)體硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的領(lǐng)先供應(yīng)商。該公司擁有高度差異化的產(chǎn)品組合，包括處理器解決方案、接口 IP 解決方案、嵌入式 SRAM 和 NVM、嵌入式測(cè)試和良率優(yōu)化解決方案、邏輯庫(kù)及存儲(chǔ)器開發(fā)軟件。Virage Logic 是備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的 IP 合作伙伴，有超過(guò)400家晶圓代工廠、IDM 和無(wú)廠 IC 客戶采用其方案以達(dá)到更高性能、更低功耗、更高密度、更優(yōu)化良率，縮短客戶的產(chǎn)品上市時(shí)間以及量產(chǎn)時(shí)間。欲得知更多信息，請(qǐng)瀏覽 http://www.viragelogic.com 。
關(guān)于中芯國(guó)際
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)合交易所股票代碼：981），是世界領(lǐng)先的集成電路芯片代工企業(yè)之一，也是中國(guó)內(nèi)地規(guī)模較大、技術(shù)先進(jìn)的集成電路芯片代工企業(yè)。中芯國(guó)際向全球客戶提供0.35微米到45納米芯片代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國(guó)際總部位于上海，在上海建有一座300mm 芯片廠和三座200mm 芯片廠。在北京建有兩座300mm 芯片廠,在天津建有一座200mm 芯片廠，在深圳有一座200mm 芯片廠在興建中，在成都擁有一座封裝測(cè)試廠。中芯國(guó)際還在美國(guó)、歐洲、日本提供客戶服務(wù)和設(shè)立營(yíng)銷辦事處，同時(shí)在香港設(shè)立了代表處。此外，中芯代成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司經(jīng)營(yíng)管理一座200mm 芯片廠，也代武漢新芯集成電路制造有限公司經(jīng)營(yíng)管理一座300mm 芯片廠。詳細(xì)信息請(qǐng)參考中芯國(guó)際網(wǎng)站 http://www.smics.com
安全港聲明（根據(jù)1995私人有價(jià)證券訴訟改革法案）
本次新聞發(fā)布可能載有（除歷史資料外）依據(jù)1995美國(guó)私人有價(jià)證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述乃根據(jù)中芯對(duì)未來(lái)事件的現(xiàn)行假設(shè)、期望及預(yù)測(cè)而作出。中芯使用“相信”、“預(yù)期”、“打算”、“估計(jì)”、“期望”、“預(yù)測(cè)”或類似的用語(yǔ)來(lái)標(biāo)識(shí)前瞻性陳述，盡管并非所有前瞻性聲明都包含這些用語(yǔ)。這些前瞻性聲明涉及可能導(dǎo)致中芯實(shí)際表現(xiàn)、財(cái)務(wù)狀況和經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)與這些前瞻性聲明所表明的意見(jiàn)產(chǎn)生重大差異的已知和未知的重大風(fēng)險(xiǎn)、不確定因素和其他因素，其中包括當(dāng)前全球金融危機(jī)的相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)、未決訴訟的頒令或判決，和終端市場(chǎng)的財(cái)政穩(wěn)定。
投資者應(yīng)考慮中芯呈交予美國(guó)證券交易委員會(huì)（“證交會(huì)”）的文件資料 ，包括其于二零零九年六月二十二日以20-F 表格形式呈交給證交會(huì)的年報(bào)，特別是在“風(fēng)險(xiǎn)因素”和 “管理層對(duì)財(cái)務(wù)狀況和經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)的討論與分析”部分，并中芯不時(shí)向證交會(huì)(包括以6-K 表格形式)，或聯(lián)交所呈交的其他文件。其它未知或不可預(yù)測(cè)的因素也可能對(duì)中芯的未來(lái)結(jié)果，業(yè)績(jī)或成就產(chǎn)生重大不利影響。鑒于這些風(fēng)險(xiǎn)，不確定性，假設(shè)及因素，本次新聞發(fā)布中討論的前瞻性事件可能不會(huì)發(fā)生。請(qǐng)閣下審慎不要過(guò)分依賴這些前瞻性聲明，因其只于聲明當(dāng)日有效，如果沒(méi)有標(biāo)明聲明的日期，就截至本新聞發(fā)布之日。除法律有所規(guī)定以外，中芯概不負(fù)責(zé)因新資料、未來(lái)事件或其他原因引起的任何情況，亦不擬，更新任何前瞻性陳述。
上述所有商標(biāo)為所有者的個(gè)別財(cái)產(chǎn)并于此受到保護(hù)。
