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更小面積,更強性能 -- 三星推出8nm射頻工藝技術

2021-06-09 10:00 16685
今日,三星宣布開發(fā)新一代“8納米射頻(RF)工藝技術”,強化5G通信芯片的解決方案。

韓國首爾2021年6月9日 /美通社/ -- 今日,三星宣布開發(fā)新一代“8納米射頻(RF)工藝技術”,強化5G通信芯片的解決方案。

三星半導體韓國H3晶圓代工廠全景
三星半導體韓國H3晶圓代工廠全景

這種先進的制造技術支持5G通信的多通道和多天線芯片設計,期待為5G通信提供單芯片的解決方案(One Chip Solution)。三星的8nm RF平臺擴展計劃,有望增強從Sub-6GHz到毫米波(mmWave)應用的5G半導體代工市場地位。

三星8nm RF是從已有28nm14nm RF代工解決方案拓展的新一代工藝技術。自2017年至今,三星以高端智能手機為主,已生產了超過5億顆的RF 芯片,在RF芯片代工市場擁有了一席之地。

“通過技術創(chuàng)新和制造工藝的精益求精,我們推出了下一代無線通信的代工技術方案,”三星電子代工技術開發(fā)團隊負責人Hyung Jin Lee表示“隨著5G毫米波的應用擴大,三星的8nm RF技術為客戶提供更好的解決方案,滿足客戶不斷提升的用戶體驗,在小的芯片上提供更長的電池使用時間,高質量的通信信號。”

三星新一代RFeFET? 器件結構

RF芯片把接受的射頻信號轉換數字信號用于數字處理,把處理后的數字信號轉換為射頻信號用于發(fā)射。RF工藝技術中,模擬/RF器件性能和數字器件性能都非常重要。

隨著半導體工藝節(jié)點的縮微,數字電路在性能,功耗和面積上都有顯著改善,然而模擬/RF 模塊由于寄生特性難以縮微。由于線寬較窄,導致電阻增加,RF信號放大性能減弱,功耗增加,RF芯片整體性能下降。

為了克服模擬/RF電路在工藝縮微時的技術挑戰(zhàn),三星開發(fā)了一種名為“RFeFET?(RF extremeFET)”的獨特RF器件結構,新的結構只在8nm RF平臺上提供,新的RF器件使用小的功率就能提升RF性能。與此前的14nm工藝相比,三星“RFeFET?(RF extremeFET)”可以幫忙數字電路的縮微,同時提升模擬/RF性能,提供高性能的5G技術平臺。

工藝優(yōu)化包括增加電子遷移率,降低寄生參數。由于RFeFET?的性能的提升,射頻芯片中晶體管的總數可以減少,模擬電路的面積可以減少。

由于三星“RFeFET?(RF extremeFET)”的創(chuàng)新,與此前的14nm工藝相比,三星的8nm RF工藝可減少約35%的射頻芯片面積,且能效也有約35%的提升。

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消息來源:Samsung Electronics Co., Ltd.
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