日本橫濱2021年11月17日 /美通社/ -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出帶并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲器,這也是Fujitsu首款支持100萬億次讀/寫周期的FRAM系列產品。評估樣本目前已發(fā)布。
網址:https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/parallel-8m-mb85r8m2ta.html
圖1—MB85R8M2TA封裝:
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202111113210/_prw_PI4fl_1D8dFJht.jpg
FRAM是一款非易失性存儲產品,具有高讀寫耐久性、高速寫入、低功耗等優(yōu)點,已批量生產20多年。
網址:https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/
MB85R8M2TA存儲器配有與SRAM兼容的并行接口,可在1.8V-3.6V的電源電壓范圍內工作。新款FRAM在快頁模式下可實現25ns的訪問時間,因此在持續(xù)數據傳輸時的訪問速度可與SRAM相媲美。與Fujitsu的傳統(tǒng)產品相比,該存儲器實現了高速運行(訪問速度提高約30%)和低功耗(工作電流減少10%)。這款存儲器IC是SRAM的理想替代產品,可用于需要高速運行的工業(yè)機器。
圖2—FRAM用例:
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圖3—電流比較:
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從上述特點來看,新款8Mbit FRAM可在某些情況下省去SRAM所必需的數據備份電池,為客戶帶來好處。
圖4—用非易失性存儲器替換SRAM時會遇到的問題及解決方案:
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Fujitsu Semiconductor Memory Solution致力于開發(fā)高性能產品,為可持續(xù)發(fā)展的社會做出貢獻。例如,該公司在不斷開發(fā)低功耗FRAM產品。通過降低產品功耗,該公司旨在減少二氧化碳和溫室氣體排放。
Fujitsu將繼續(xù)滿足市場和客戶的需求和要求,同時開發(fā)環(huán)保型存儲產品。