日本橫濱2022年3月16日 /美通社/ -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited于3月15日宣布推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)——MB85AS12MT。目前可提供評估樣品。
鏈接：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/reram/spi-12m-mb85as12mt.html
這款新產(chǎn)品是一個非易失性存儲器，具有12Mbit的大存儲密度，封裝尺寸非常小，約為2mm x 3mm。讀取電流也極低，讀取操作期間平均為0.15mA。因此，將MB85AS12MT安裝在頻繁進行數(shù)據(jù)讀取操作的電池供電設(shè)備中，可以最大限度地減少電池消耗。
該產(chǎn)品具有封裝尺寸小和讀取電流小的特點，非常適合用于助聽器和智能手表等可穿戴設(shè)備。
圖1：MB85AS12MT封裝（頂部和底部）
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI1fl_q04dZo1R.jpg
圖2：ReRAM使用實例
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI4fl_04Y8S95e.jpg
MB85AS12MT可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。新的ReRAM產(chǎn)品的存儲密度是現(xiàn)有8Mbit ReRAM的1.5倍，但二者封裝尺寸都是WL-CSP（晶圓級芯片尺寸封裝）且引腳分配也一樣。新產(chǎn)品可在小封裝尺寸中存儲大約90頁報紙的字符數(shù)據(jù)。
MB85AS12MT使用的WL-CSP與經(jīng)常用于具有串行外設(shè)接口(SPI)的存儲器件的8針SOP相比，可以節(jié)省約80%的安裝面積。
圖3：安裝面積比較
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI3fl_35lI5L7E.jpg
憑借上述功能，這款ReRAM產(chǎn)品可以解決開發(fā)可穿戴設(shè)備時使用閃存或EEPROM所產(chǎn)生的以下問題。
圖4：客戶問題和解決方案：
https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202203148559/_prw_PI2fl_Vt1u8m8L.jpg
Fujitsu Semiconductor Memory Solution將繼續(xù)開發(fā)各種低功耗存儲器產(chǎn)品，以滿足客戶的要求。
